Renesas 可提供各種使用數字或模擬控制的單片硅 RF 衰減器。 Renesas 的所有 RF 衰減器均具有高帶寬、低插入損耗、高線性度、高衰減精度以及低誤差等特點。 上述 RF 衰減器所適用的應用包括無線基礎設施（基站、寬帶基礎設施 (CATV)）、微波無線電、衛星和數據終端、通用通訊設備以及測試和測量設備。

Renesas 率先推出采用“Glitch-Free?”技術的數字步進衰減器 (DSA)，使得客戶能夠簡化其軟件界面、提高可靠性、防止損壞功率放大器等昂貴的子組件，并限制數據轉換器輸入超出額定范圍。 我們的創新型 Glitch-Free? 技術可消除發送和/或接收路徑中的衰減設置過沖（毛刺），可將最高有效位 (MSB) 過渡期間的瞬時“毛刺”減少高達 95%。

另外，Renesas 的電壓可變衰減器 (VVA) 可為客戶提供針對需要更精確衰減應用的模擬控制。 相比同類競爭解決方案，這些 VVA 擁有近一半的低插入損耗以及高 IP3 性能，并且在電壓控制范圍內為線性衰減 (dB)。 通過使用硅基 RF 半導體技術，Renesas 的衰減器為基于 GaA 的原有半導體技術提供了強大的替代方案。 硅技術提供了更強大的靜電放電 (ESD) 保護、更出色的潮濕敏感度等級 (MSL)、更理想的熱性能、更低的電流消耗以及硅技術久經驗證的可靠性。