Renesas?是射頻電路研發創新的領導者,也是領先通信系統提供商所信賴的供應商。我們使用 Smart Silicon? 方法將最佳工藝技術與我們獨特的電路級創新相結合,打造差異化 RF 產品組合。

  • 電路級創新——提高系統級性能和可重復性、降低功耗、提高可靠性。
  • Smart Silicon? 創新技術——獨特的產品解決方案,使用最佳工藝技術在 SOI、GaAS、GaN 或 SiGe 中實現高性能
  • 值得信賴的合作伙伴——為全球領先的通信系統供應商提供技術,在全球網絡中完成部署
  • 成熟的產品組合——豐富的產品組合,業經驗證的可靠性,涵蓋簡單的單功能組件乃至復雜的 RF 子系統

業界領先的 RF 創新

Glitch-Free? 技術:Renesas?的數字步進衰減器 (DSA) 幾乎消除了標準 DSA 在 MSB 衰減狀態轉換過程中發生的瞬時過沖。采用 Glitch-Free 技術,ADC 的放大器損壞和信息損失得以避免。

FlatNoise? 技術:增益在下降時,Renesas 的可變增益放大器 (VGA) 噪聲系數在關鍵區域基本持平。通過增強信噪比 (SNR),可顯著降低射頻電工程師的設計限制。

Zero-Distortion? 技術:Renesas?的 RF 放大器RF 混頻器通過降低本底噪聲和三階互調失真,改善 SNR。這對于擁擠的頻譜環境來說至關重要,因為這樣可加強服務質量 (QoS) 并釋放未利用的頻譜。

K|Z| 恒阻抗技術:Renesas 的 RF 開關在 RF 端口間切換時能保持近乎恒定的阻抗。通過控制切換過程中的阻抗,可以最大程度地降低電壓駐波比 (VSWR) 瞬態。這就提升了開關的可靠性,降低下游組件承受的電壓應力,并改善系統總體性能。

KLIN 恒定線性度技術: Renesas 的可變增益放大器在調整增益時保持恒定的高線性度。隨著增益降低,線性度 (OIP3) 會在關鍵域內保持恒定不變。這可防止隨著增益降低而影響互調失真。

關于 Renesas?的 RF 解決方案

Renesas?提供高性能且功能全面的射頻 (RF) 產品,幫助應對日益擁擠的無線電頻譜產生的無用干擾。如今,更高的數據速率要求設備達到更佳的無線電信噪比,這就需要采用 Renesas 具有更高線性度的 RF 器件。Renesas 的專利 RF 解決方案提供獨特的技術創新,可滿足各種應用不斷發展的需求,其中包括蜂窩 5G/4G 基站、通信系統、微波 (RF/IF)、CATV 測試測量和工業應用。

分類

RF 混頻器

具有超低功耗和超低 IM3 失真的 RF 信號混頻器和雙混頻器產品

RF 衰減器

適用于 RF 信號路徑的 Glitch-Free 數字步進衰減器和電壓可變衰減器

可變增益放大器 (VGA)

搭載 FlatNoise? 技術的數控中頻和射頻可變增益放大器

射頻合成器

可解決頻率生成難題的 RF 合成器

射頻開關

搭載 Kz 恒定阻抗技術的 SPDT、SP4T 和 SP5T RF 交換機

射頻放大器

具有高線性、極低功耗特性,并搭載零失真技術的 RF 放大器

晶體管陣列

基于 UHF-1 SOI 工藝的 NPN、PNP 和 NPN-PNP 晶體管陣列

相位陣列波束形成器

適用于毫米波 (mmWave) 和 5G 波束控制應用的波束形成器 IC

調制器和解調器

搭載零失真和 Glitch-Free 技術的 RF 調制器和解調器

文檔

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